载流子

1、以单位面积下漂移区自由载流子浓度为基础，得出漂移区电阻的解析模型。

2、当施加反向偏置电压时，形成的耗尽层厚度变大，从而使热载流子的产生减到最小。

3、电化学C-V（ECV）法是当前测量化合物半导体载流子浓度分布的非常重要的方法。

4、光收集区域收集光生电荷载流子并被布置在第二外延层内。

5、在考虑了各种散射效应对迁移率的影响后，提出了短沟道MOST表面载流子迁移率的温度模型。

6、基于全内反射原理和光生载流子注入效应，研究了一种Y分叉全内反射型全光开关。

7、对深亚微米器件中热载流子效应(hce)进行了研究。

8、经过激光处理后样品表面一薄层载流子浓度超过了杂质的固溶度极限。

9、这种光诱导剩余极化减小的疲劳，主要机理是光生载流子电畴钉扎。

10、指出能量转换特性的最重要的弛豫过程是电子-声子相互作用，决定了由电子载流子系统到晶格的能量转换。

11、由热结晶形成的结构陷阱俘获载流子能力在结晶度为20%时达到极值。

12、以数值结果揭示外延层的体电阻率及厚度、活性区载流子的扩散长度、模增益和丝区宽度等参量对上述各种分布的影响。

13、探讨了光生载流子在漂移、扩散和光生伏打效应三种机制下输运迁移以及空间电荷场的形成过程。

14、这一现象可定性地用自由载流子吸收来解释.

15、本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.

16、双异质结构实现了光和载流子的完全限制，使阈值电流密度大幅度下降。

17、在此基础上，着重对阈值附近半导体激光器的载流子密度、输出功率以及阈值电流等重要特性进行了研究。

18、为减小基区电阻和防止低温载流子冻析，可增加基区浓度。

19、进而提出了用发光二极管结构的非相干光时延四波混频测量有源介质带间和带内载流子弛豫速率的有效方案。

20、即使载流子的方向和布线延伸方向偏离晶轴的容易分割方向，也可以容易地把一个半导体器件分割为小片。