载流子

1、随着MOS器件尺寸逐渐减小，由热载流子效应导致的损伤变得越来越严重，已成为影响器件性能的主要失效机制之一。

2、当阱宽较大时，能级填充是导致光谱红移的主要原因，俄歇复合与载流子离域是导致效率下降的主要原因。

3、光电导开关的超快特性主要由触发光脉冲脉宽和开关芯片材料载流子复合寿命决定。

4、进一步分析认为，这是因为条宽变窄导致器件阈值电流密度、阈值载流子密度变大造成的。

5、本文简略地介绍处理半导体中热载流子输运的一个解析方法——平衡方程方法。

6、热载流子通过发射和吸收声子,与晶格进行能量交换.

7、器件的发光强度有所提高，但栅压对载流子的控制作用不理想。

8、小阱宽的量子阱虽然光学限制因子和载流子注入比例都较小，但由于其价带耦合小于宽量子阱，从而具有高的模式增益，说明量子阱的能带结构对其光学特性有决定性的作用。

9、即使载流子的方向和布线延伸方向偏离晶轴的容易分割方向，（造句 网）也可以容易地把一个半导体器件分割为小片。

10、与常温情况相比，低温下本征载流子浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升。

11、对于较高温度下制备的TCO薄膜，对载流子迁移率起主要作用的散射机制是带电离子散射和电中性复合粒子散射。

12、为了改善反向恢复特性，必须降低通态过程中靠近阳极的过剩载流子浓度。

13、光照时电导率增加，光注入后因光生载流子对缺陷态的填充使费米能级上移，从而使激活能减小；

14、分析有源区内载流子和VCL光子密度的变化，揭示了增益钳制的物理机理。

15、利用稳态速率方程,导出了激光器有源区载流子密度与偏置电流及输入信号光功率关系的隐函数表达式.

16、这些结果都说明：晶格结构是决定高温超导电性的因素之一，且它并不依赖于载流子浓度变化与否。

17、即使载流子的方向和布线延伸方向偏离晶轴的容易分割方向，也可以容易地把一个半导体器件分割为小片。

18、该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响，获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布。

19、在考虑载流子的空间电荷效应、扩散效应和注入电流脉宽情况下，推导了双漂移崩越二极管的渡越角表达式。

20、利用少数载流子的稳态连续性方程和半导体材料对光的吸收，求出光电流的表达式。