负阻

1、由于光电负阻器件具有双稳和自锁特性，这种非线性光耦合器具有响应保持功能。

2、该文以负阻振荡器设计及自适应递推算法为基础，提出了负阻振荡器的最佳自适应递推设计方法。

3、通过分析CMOS差分负阻振荡器的工作原理，得到电路结构和参数的优化方案。

4、模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有S型负阻特性的两端器件。

5、从变量约束关系出发分析了负阻元件存在的可能性及其物理性质，阐述了负阻元件与负阻抗变换器的关系及其应用。

6、在I-V特性曲线上具有双微分负阻的三稳态共振隧穿器件，室温下可以达到较高的电流峰谷比5。

7、在对负阻元器件特性进行研究和分析的基础上引出负阻效应的概念，对负阻效应产生方式和原理进行了论述。

8、借助于该电路，在微分负阻单口电路的基础上实现了斜率可调压控微分负阻双口。

9、模拟分析表明，一种反向势垒的存在及其击穿，应是引起负阻现象的原因。

10、本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究，给出了器件等效电路。

11、本文提出的浮地频变负阻新电路具有有源和无源元件少、灵敏度低、稳定性好、无需调整和易于实现等优点。

12、本文从双向负阻晶体管(BNRT)的等效电路出发，导出了BNRT的工作模式。

13、本文提出了一种温度系数可以设定的负阻电路。

14、将发光器件和硅光电负阻器件面对面地封装在一起，其间实现电隔离，构成一种新型光耦合器。

15、这些效应使饱和区电流会随电压的增加而减小，即存在负阻效应。

16、晶体振荡器一般从负阻的角度来理解其工作原理，忽略了反相器的输出电阻和分压电阻的影响。

17、最后利用电荷积累效应解释了负阻区本征双稳态特性。

18、本文报道了MIM隧道二极管的发光和负阻现象，用梯形势垒计算了电流-电压特性。

19、根据BNRT不同工作状态下的内部电势、电子浓度和空穴浓度分布，解释了其S型负阻特性的产生机理。

20、为了使砷化镓场效应管具有建立振荡所需的负阻，我们将其配置为共源结构并在漏极添加合适的开路微带线。