畴壁

1、从起始磁化曲线和小回线的形状特征可知，矫顽力机制主要是由畴壁钉扎控制。

2、通过用铁磁性材料中畴壁固有的自然特性在未构图的磁膜上写入数据，在未构图的磁膜中存储数字信息。

3、硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的形成及其稳定性的研究，对布洛赫线存储器（BLM）的研制与使用具有重要意义。

4、实验研究表明，铁电陶瓷的高频介电弛豫主要是由材料内部的畴壁共振引起的。

5、在这些样品中，弱的畴壁钉扎是不能被忽略的。

6、通过相邻磁导线中来自磁畴壁的边缘磁场写入磁区。

7、我们认为： 分形畴之所以会出现上述现象，是由于畴壁中的VBL的特性引起的。

8、从形成条件可以合理地推论，畴壁中VBL数目的增加导致硬磁畴静态特性的质的变化。

9、通过实验和计算，证明了硬泡畴壁中同号的VBL一般地说并非一个脉冲产生一对。

10、温度和面内场都是影响硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的重要因素.

11、两种类型粒子群的运动和自动成型畴壁导致了可以观测的焦热电流。

12、进一步证明了温度作用下，硬磁畴畴壁中的VBL是逐步解体的。

13、单晶材料消除了晶界对畴壁移动的影响，具有很好的低场下的位移输出能力，这为微位移致动器的研制奠定了很好的基础。

14、根据磁畴壁运动唯象理论，得到残余应力分布曲线。

15、畴壁的存在使自发极化和居里温度降低，使临界尺寸增大。