淀积

1、采用光化学气相淀积(光cvd)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化，使整个器件提高了可靠性。

2、本研究还得到了能有效阻挡铜硅接触的钽膜的淀积速率。

3、提出了一种提高极值法监控薄膜淀积层厚精度的方法。

4、他们应当去掉场极板和氧化层，并在整个区域淀积一层薄的铝薄膜。

5、给出了不同衬底温度下淀积薄膜中硼深度分布的一些特征。

6、利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体：高反射率半导体可饱和吸收镜。

7、本文简述了淀积于基片上的薄膜中的应力的计算理论的演变过程。

8、衬底温度决定原子的表面迁移率，衬底温度是影响淀积的铝膜的均匀性和台阶覆盖能力的主要因素。

9、电铸用电淀积方法在一模子上制作或重制。

10、流体不混溶、大气降水的不断加入以及水-岩交换作用是导致本区成矿流体中金、锑淀积成矿的主要因素。

11、通过相图讨论了系统压力、激活温度和氟含量对低压金刚石薄膜淀积条件的影响，可以为实验研究提供理论指导。

12、第三章为多孔硅表面氮化硅的淀积与转移技术的结果与讨论。

13、用一个冷阴极离子枪产生的氧离子轰击淀积过程中的薄膜表面。

14、语言负载了各种文化淀积。

15、揭示了常规热丝法薄膜淀积工艺中热钨丝易断裂的原因。

16、运用蒙特卡罗方法，模拟了不同条件下的物理气相淀积薄膜生长过程。

17、目标是通过研究反应流量、表面迁移率及反应能量等分子构成级的薄膜淀积工艺,克服对高热能输入的依赖。

18、采用气凝胶与干凝胶两种催化剂载体通过化学气相淀积方法制备出螺旋状的碳纳米管。

19、用椭圆偏振光谱法研究了热处理对射频辉光放电淀积的氢化非晶碳膜光学性质的影响。

20、与行星径向平行的台阶边缘被对称淀积.