单晶硅

1、当少子扩散长度与衬底厚度的比值为2.5-3时，具有铝背场结构的单晶硅电池可获得最佳的输出特性。

2、游离磨料线锯切割技术是目前单晶硅切片的主要加工方法.

3、用表面增强拉曼散射技术研究单晶硅表面键合光敏染料，可获得信噪比强的SERS图。

4、研究了大气状态下应用扫描隧道显微镜（ STM）对金薄膜和单晶硅材料进行了纳米级电场加工实验。

5、介绍了直拉法生长单晶硅的基本原理及工艺条件。

6、本机采用金刚砂线锯技术，用于切割单晶硅棒、多晶硅方棒。

7、由于线锯切割具有切片薄、表面翘曲变形小、厚薄均匀和切口损失小等优点，被广泛用于单晶硅切片加工。

8、用压痕功法对单晶硅的压痕硬度进行了实验研究，并与其它方法进行了比较分析。

9、用常规化学腐蚀法显示出单晶硅中的缺陷，观察典型的位错。

10、利用离子注入技术，对稀土掺杂到半导体单晶硅中的光致发光行为进行了研究。

11、单晶硅晶体生长炉具有非线性和大纯滞后的特点，应用常规pid控制难以实现有效控制。

12、报道了一种由悬浮在玻璃衬底上的表面镀铜平面单晶硅螺线构成的新型MEMS电感，可消除衬底损耗及减小电阻损耗。

13、本文利用环形电镀金刚石线锯对硬脆材料单晶硅、LT55陶瓷进行了切割试验，研究了锯切力、材料加仁表面质量及锯丝的磨损。

14、生产单晶硅、多晶硅和非晶硅各系列品种规格、高效率的太阳能光伏大型组件及微型组件。

15、近期又获60亿元银行融资,有助其跨越式发展;横店东磁(002056),在永磁铁氧体、软磁铁氧体、锂电池正极材料、太阳能单晶硅等方面实力较强。

16、在现有工艺和条件下，从电池性能上讲，单晶硅是制造太阳电池的比较理想的材料。

17、多晶硅用直拉法(CZ)或磁场直拉法(mcz)拉制成单晶硅棒。

18、简要介绍硬质合金、压电陶瓷和单晶硅的加工特点及利用超声微细加工这三种材料的优势。

19、公开了一种在单晶硅生长过程中使用的掺杂硅熔体的制备方法。

20、直径12英寸直拉单晶硅研制成功.