背场

1、当少子扩散长度与衬底厚度的比值为2.5-3时，具有铝背场结构的单晶硅电池可获得最佳的输出特性。

2、溅射工艺制备出的铝背场接触电阻随退火温度升高呈下降趋势且溅射工艺的接触电阻比印刷工艺更小。

3、本文分析研究了铝浆及烧结工艺对晶体硅太阳电池背场的影响。

4、在商业化晶体硅太阳电池制造技术中，广泛采用丝网印刷铝浆烧结工艺制作铝背场（BSF）。

5、现在大规模生产过程中普遍采用共烧来进行生产，即背场和正面银浆使用同一温度共同进行烧结。

6、通过空间环境地面模拟实验方法，研究了低能质子辐照及其与热循环效应协同作用下背场硅太阳电池电性能的变化。